型号:SPB80N06S2-07 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 80A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 6.6 毫欧 @ 68A,10v |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 180µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 110nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 4540pF @ 25V |
功率_最大 | 250W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市晶美隆科技有限公司 | 李林0755- 82519391 0755-83209630 |
深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
深圳市欧立现代科技有限公司 | 林小姐 胡先生 张先生0755-83222787/23999932 |
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0603(1608 公制)
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Yageo
0402(1005 公制)
RES 6.98KOHM 1/16W .25% SMD 0402
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TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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Yageo
0603(1608 公制)
RES 332 OHM 1/10W .1% SMD 0603
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Yageo
0402(1005 公制)
RES 71.5KOHM 1/16W .25% SMD 0402
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FET - 单
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TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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Yageo
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RES 357 OHM 1/10W .1% SMD 0603
- RT0402CRE0782KL
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0402(1005 公制)
RES 82.0KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- SPB80N10L G
FET - 单
Infineon Technologies
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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芯片电阻 - 表面安装
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